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薄膜厚度對光譜反射的影響
公式一
在處理單層薄膜的反射光譜時,有兩個不同的界面會發(fā)生反射,第一個是空氣-薄膜界面,第二個是薄膜-基底界面。根據(jù)薄膜的厚度和折射率,從每個表面以特定波長反射的光會具有相位差,從而產(chǎn)生相長干涉或相消干涉。由于材料的折射率與波長有關(guān),這個相位差在寬帶光源的光譜范圍內(nèi)會有所不同。
這種與波長相關(guān)的干涉圖產(chǎn)生啁啾正弦波譜,薄膜越厚,啁啾頻率越高,如公式 2 所示。在該公式中,d 表示薄膜的厚度, n(l) 表示折射率作為波長的函數(shù), l 是波長,而 I(l) 是強度作為波長的函數(shù)。
公式2
雖然公式 2 進行了許多簡化和假設(shè),但它可以用來理解光譜是如何作為薄膜厚度的函數(shù)而變化的。圖 1 是MgF2光譜的一個理想示例,它清楚地表明了啁啾光譜的頻率隨著薄膜厚度的增加而變大。在實踐中,大多數(shù)絕緣材料在光通過時往往會吸收一些光,從數(shù)學(xué)上講,我們可以通過材料的復(fù)折射率來描述這種特性,其中 n 是折射率, k 是吸收系數(shù)。 需要注意的是雖然吸收系數(shù)在數(shù)學(xué)上是虛構(gòu)的,但它又是一個真實的特性,在對一個薄膜厚度的反射光譜進行準(zhǔn)確建模時必須要把材料的吸收系數(shù)考慮進去。
典型的薄膜反射光譜測量系統(tǒng)
除了探頭角度外,薄膜反射光譜測量系統(tǒng)與傳統(tǒng)的反射測量系統(tǒng)非常相似。薄膜反射光譜測量系統(tǒng)的照明端和采集端都必須垂直于樣品表面,這與大多數(shù)反射率測量中使用的45度角形成對比。該裝置包括Avantes公司的 AvaSpec-Mini2048CL 或 AvaSpec-ULS2048CL-EVO光譜儀,Avalight-HAL-S-Mini鹵鎢燈光源和FCR-7UV200-2-ME光纖反射探頭。對于紫外應(yīng)用,可以使用Avalight-DH-S氘鹵鎢燈光源。注意一定要確保反射探頭要牢固固定,而且探頭和參考之間的距離必須要等于探頭和樣品間的距離。圖 2 顯示了典型的測量裝置。
圖 2:反射法測量薄膜厚度的典型實驗裝置
薄膜測量
薄膜測量要先對未鍍膜的參考基底采集參考光譜,然后在相同條件下測量鍍膜的基底,用AvaSoft 軟件(圖 3)就可以確定薄膜厚度。
為了實現(xiàn)準(zhǔn)確的測量,必須將基底厚度和基底材料種類以及薄膜的設(shè)計厚度和薄膜材料種類輸入到軟件中。這些數(shù)據(jù)允許軟件訪問其數(shù)據(jù)庫中的材料折射率和吸收系數(shù),將測得的反射光譜與給定薄膜厚度的理論曲線相關(guān)聯(lián)。圖 3 顯示了使用 AvaSoft 軟件中的薄膜測量模塊,所得到的在 Si 基底上涂覆的 655 nm厚的 SiO2 薄膜的反射光譜。除了軟件內(nèi)置的常用基底和薄膜材料庫外,用戶還可以對自己感興趣的每個波長通過輸入一系列折射率( n ) 和吸收系數(shù)( n ) 來創(chuàng)建自己的“*.nk"文件。
圖 3:硅基底鍍SiO2膜層的反射光譜的屏幕截圖,顯示計算出的薄膜厚度為 655.3 nm
總結(jié)
通過在薄膜測量過程中利用反射光譜,工程師現(xiàn)在能夠在制造過程的所有階段快速且經(jīng)濟高效地測試薄膜厚度。Avantes 公司可以提供多種系列的微型光譜儀、光源和探頭,與AvaSoft 薄膜測量軟件配合使用,可以對厚度從 10 nm 到 50 μm 的單層薄膜進行測量,分辨率為1 nm。我們提供可選的薄膜標(biāo)準(zhǔn)樣品,這些標(biāo)準(zhǔn)樣品包括沒有鍍膜的基底和已知膜層厚度的鍍膜基底,用于確認和驗證鍍膜過程的可靠性和可重復(fù)性。
AvaSpec 光譜儀可以進行高速觸發(fā)或連續(xù)測量,非常適合于薄膜測量。此外,上文中提到的那些光譜儀也可提供OEM 模塊,可集成到多通道可安裝型工業(yè)機箱中,非常適合薄膜過程監(jiān)控系統(tǒng)。Avantes光譜儀中的AS-7010電路板包括USB、以太網(wǎng)和多功能I/O接口,可以極其方便地與其他設(shè)備進行通信。此外,Avantes還提供DLL 開發(fā)包,以及在Delphi、Visual Basic、C#、C++、LabView、MatLab等編程環(huán)境中的示例程序,使用戶自己可以開發(fā)薄膜應(yīng)用程序代碼。該軟件開發(fā)工具包對于集成到自動采樣系統(tǒng)或分析需要定制代碼的復(fù)雜多層薄膜特別有用。